动态噪声，可以补偿缓解的噪声
红楼梦电视剧1987
2026年1月于上海观看
影片印象#
红楼梦——四大名著之一。其他的三大名著我都看过纸质书籍，影视作品等等，可维度对这红楼梦迟迟提不上兴趣来。为了填补这个亏空从红楼梦的电影作品开始入手，看
随写感悟#
- 看完后去公园溜达了好几圈，久久不能平静，心中有很多的感慨，但是说不上来，仿佛大梦一场。
回踢噪声
2026-04-03
2026-04-03版图注意点
2025-07-10闩锁效应、ESD保护、天线效应
目录
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闩锁效应#
latch up#
CMOS电路中，存在寄生的三极管PNPN,它们相互影响在VDD与GND间产生一低阻通路，形成大电流，烧坏芯片这就是Latch up，又称栓锁效应。
产生原因#
在CMOS工艺中制作的N管和P管间会存在寄生的BJT（PNPN）；如下（以N井CMOS工艺制作的反相器为例），N管和P管间存在一个纵向的PNP，和一个横向的NPN。
寄生三极管
正常工作情况下，三极管是截止的；不会发生Latch up； 当受到外界来自电源，I/O，ESD静电泄放的干扰时，使得其中一个三极管导通后，将反馈到另一个三极管也导通，由于这两个三极管的输入输出是彼此首尾相接，因此形成一个不断循环放大的环路，电流在这个结构里面不断放大，最终超过芯片承受范围，使得芯片被烧坏
寄生三极管电流回路
避免的方法#
工艺制造时：
采用重掺杂的衬底（降低Rsub，减小放大环路增益） 采用轻掺杂的外延层（阻止侧向漏电流从纵向PNP到低阻衬底的通路） 使用绝缘隔离槽（SOI绝缘体上硅工艺可彻底消除闩锁效应）
版图设计时：
多打接触孔，接触孔尽量靠近active有源区（降低Rwell，Rsub） 使用Guard ring(一方面降低Rwell，Rsub，一方面阻止载流子到达BJT基极) NMOS靠近GND，PMOS靠近VDD并保持足够距离，降低SCR触发的可能；
ESD保护#
静电效应#
芯片突然受到高电压低电流的刺激，容易使得芯片被损坏。
产生原因#
三种产生模型： 人体接触 带静电的人手触摸芯片
机器接触 制造过程中，与机器接触
自产生电荷 已封装芯片在组合或运输过程中产生电荷
三种模式的电荷不同，作用时间也不同
避免的方法#
- 增加芯片的抗静电能力 在芯片的pin引脚增加ESD防护电路可以增加芯片对ESD静电的防护能力，但代价是增加了很多芯片面积（ESD器件通常很大一个）
ESD保护电路
天线效应#
process antenna effect（PAE）#
在芯片的蚀刻过程钟，容易出现电荷积累击穿mos管，导致部分mos管的性能出现损失。
产生原因#
干蚀刻（etch）需要使用很强的电场驱动离子原浆，在蚀刻gate poly和氧化层边的时候，电荷可能积累在gate poly上，并产生电压足以使电流穿过gate的氧化层，虽然这种状况通常不会PAE破坏gate氧化层，但会降低其绝缘程度。这种降低程度于gate氧化层面积内通过的电荷数成正比。每一poly区积累的正电荷与它的面积成正比，如果一块很小的gate氧化层连接到一块很大的poly图形时，就可能造成超出比例的破坏，因为大块的poly区就像一个天线一样收集电荷，所以这种效应称为天线效应，天线效应也会发生在source/drain的离子植入时。
避免的方法#
尽量避免画一条很长的线
消除天线效应的方法主要是设法降低接到gate的poly面积。在poly接至gate增加一个metal跳线，即减小了接至gate的poly与gate氧化层的面积之比，起到消除天线效应的作用。
天线效应
mos 管的基本接法
2025-03-09mos 管的一些特性
2025-03-01挖坑ing
mos管的器件介绍
测试
目录
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前言#
mos管是最基本的器件，玩转模拟IC离不开mos管，在这一篇文章介绍mos管的小信号模型以及常见参数。
初识mos管#
mos管分为Nmos和Pmos，在芯片设计领域，所有的这些mos管都是蚀刻在一块硅基底上。这些相关的详细知识在半导体物理里面会有介绍。理解mos管的工作特性也需要了解一下mos管的半导体结构。这里暂时默认大家都对mos管有一定的了解再看到这篇文章。
mos管小信号模型#
拉扎维书中的小信号模型图
电流计算公式#
Id，代表流过漏极的电流，这个电流和mos管的三端有如下关系 不考沟道长度调制效应
$$
$$
考虑沟道长度调制效应 $$
$$
跨导#
gm-mos管电压转换电流的能力
考虑体效应后
$$ \begin{equation}\begin{aligned}\mathrm{gm}&=\mu_{\mathrm{n}}C_{\mathrm{ox}}\frac{W}{L}(\left(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}}\right)(1+\lambda V_{DS})\\&=\sqrt{2\mu_{\mathrm{n}}C_{OX}(W/L)I_{\mathrm{D}}\left(1+\lambda V_{\mathrm{ns}}\right)}\\&=\frac{2I_{\mathrm{D}}}{V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}}}\end{aligned}\end{equation} $$输出电阻#
ro，输出电阻表示源漏之间的等效电阻
$$ \begin{aligned}\mathrm{ro}&=\frac{\partial V_{DS}}{\partial I_{D}}\\&=\frac{1}{\partial I_{\mathrm{D}}/\partial V_{\mathrm{DS}}}\\&=\frac{1}{\frac{1}{2}\mu_{\mathrm{n}}C_{\mathrm{ox}}\frac{W}{L}(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}})^{2}\lambda}\\&\approx\frac{1+\lambda V_{DS}}{\lambda I_{D}}\\&\approx\frac{1}{\lambda I_{D}}\end{aligned} $$